STPOWER GaN MOS 開創更優的性能的氮化鎵

ST即推出合封的  氮化鎵MOS --MasterGaN 系列後，又推出了單管GaN MOS---STPOWER GaN ，讓我們看看其先進的性能：

STPOWER GaN電晶體是基於氮化鎵 (GaN) 的高效電晶體，而氮化鎵是一種新型寬帶隙化合物，為功率轉換解決方案帶來了極高的附加值。

採用氮化鎵技術，可使電子產品提升效率和性能，同時又不斷降低成本和縮減尺寸，隨著該項技術商用步伐的加快，在功率轉換應用中也獲得了廣泛運用。與矽基電晶體相比，氮化鎵功率電晶體在品質因數 (FoM)、導通電阻 (RDS(on)) 和總柵電荷 (QG) 方面的表現更出色，提供高漏源電壓能力、零反向恢復電荷（在共源共柵器件中可以忽略）和極低的本徵電容。先進的GaN技術解決方案可以提高功率轉換效率，在滿足極其嚴格的能源要求的同時實現更高的功率密度，它的工作頻率更高，器件外觀更為緊湊。STPOWER GaN電晶體是工業和汽車應用中高效率和高頻率解決方案的核心。

STPOWER GaN 可應用於：

電機控制
開關電源和LED照明
5G和數據中心
光伏和儲能
充電樁

等功率變化產品。


典型封裝Road map 如下，當前已經推出PowerFLAT 5x6 封裝產品兩款，典型內阻為 75mΩ 和 42mΩ，其餘封裝將逐步推出。

即將推出多款Demo Board ,適合多種電源應用：

為了設計出高可靠行, 小體積的電源產品，STPOWER GaN 也是一種不錯的選擇，不妨嘗試。