集成GaN解决方案只有极小的栅极驱动回路寄生电感，大幅度降低了Vgs振铃，降低了栅极应力和驱动器的输出阻尼电阻，从而提高了可靠性，获得更快的开关速度，更低的开关损耗，功率回路中较小的寄生电容大幅度降低Vds峰值，有效降低开关损耗和EMI，以及更低的Vds电压应力。
以上是MASTERGAN门极驱动逻辑-真值表。
MASTERGAN*系列共推出了5个产品，最高可支持400W产品应用，分别是推荐使用于ACF的MasterGaN3（45W）、MasterGaN2（65W），与推荐使用于ACF和LLC的MasterGaN5（100W）、MasterGaN4（200W）、MasterGaN1（400W）。它是全球首款集成驱动和两颗650V增强型GaN HEMT晶体管结合方案，拥有紧凑、坚固且易于设计的特性，适合广大厂商的调试与应用。
以上是MASTERGAN的封装原理图和引脚对应的功能。采用QFN 9x9 mm²封装工艺，对于PCB的布局非常友好，同时拥有非常好的散热。
以上是意法半导体140W USB-PD3.1解决方案Demo的测试图，使用USB PD3.1触发器进行测试。
使用STEVAL-PCCO20V2.1测试设置。ST-ONEHP可以通过调试来修改外围参数，可以极大缩短产品的开发周期和易于厂商进行调试，满足厂商对于开发不同产品的需求。
以上是意法半导体140W USB-PD3.1解决方案的温升测试，经测试Dmeo板的主要元器件的温升都在合理范围之内。
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