图 7描述了不同直流链路环路电感情况下，在SiC MOSFET关断期间的对比波形，总结特性描述于下表7中。较高的环路电感设置显示关断期间di/dt 较慢，VDS峰值较高是由于电感产生的电压。结果显示，较高的环路电感会导致较高的关断损耗，因为损耗为 VDS和ID随时间的积分。然而，在大电流驱动情况下，较高的VDS峰值电压可能会超过VDS的电压限制。因此强烈建议增加RG(off)以抑制峰值电压和振荡。此外，应根据杂散电感和关断速度考虑的重要系统设计因素，是遵循反向偏置安全工作区（RBSOA）和与 EMI 法规的兼容性。
图 7.SiC MOSFET关断波形与直流链路环路电感的关系
表 7. 总结：SiC MOSFET关断特性与直流链路环路电感 较高的直流链路环路电感设置，在导通时通过较高的VDS电压降具有较低的 Eon。同时，从系统层面考虑，必须增加RG(on)以补偿VSD电压峰值/幅度和电磁干扰水平。此外，更高的VDS过压会导致RBSOA性能变差，因此需要根据 直流链路环路调整RG(off)电感设置。图8描述了带优化RG(on)的直流链路环路电感设置在SiC MOSFET导通期间的对比波形。调整RG(on)，直到它具有与初始 23nH 测试设置相似的 VSD 电平，因为VSD峰值和振荡是MHz范围内重要的EMI噪声源。因此，较高的直流链路环路电感设置显示出较高的 Eon 和较慢的 di/dt。
图 8. SiC MOSFET导通波形与带优化电阻RG(on)的直流链路环路电感的关系
表 8. SiC MOSFET导通特性与带优化电阻RG(on)的直流链路环路电感的总结 图 9描述了带优化栅极电阻RG(off)的不同直流链路环路电感在SiC MOSFET关断特性之间的对比波形。保留VDS过冲电平类似于初始23nH设置，较高RG(off)用于较高的环路电感设置。结果显示，较高的直流链路环路电感设置显示出较高的Eoff和较慢的dV/dt。
图 9. SiC MOSFET关断波形与带优化栅极电阻RG(off)的直流链路环路电感的关系
表 9. SiC 关断特性与直流链路环路电感的总结 |
