表 4. 总结：IGBT导通特性与带优化电阻RG(on)的直流链路环路电感 图 5 显示了IGBT关断情况下，带优化关断电阻RG(off)的不同直流链路环路电感的对比波形。为了使VCE过冲电平与初始的 23nH 设置类似，在较环路电感设置中使用了较高的RG(off)。结果显示，较高直流链路环路电感设置导致较高的Eoff和较慢的 dV/dt。
图 5. IGBT关断波形与带优化电阻RG(off)的直流链路环路电感的关系
表 5. 总结：IGBT关断特性与带优化电阻RG(off)的直流链路环路电感 本节分析不同直流链路电感对SiC MOSFET 开关特性的影响。对NVXR17S90M2SPC模块进行双脉冲测试条件如下：
图6描述了不同直流链路环路电感在SiC MOSFET导通期间的对比波形，总结特性描述如表6。较高的环路电感设置，引起较高的感应电压VDS压降和较慢的开启速度di/dt。结果显示，会导致较低的导通损耗，因为损耗是VDS和ID随时间的积分。 就二极管而言，反向恢复峰值电流之后，较高的环路电感会影响二极管峰值电压。结果显示，较高的环路电感配置会影响有快速恢复的更高的反向恢复损耗。由于迅速恢复，增加RG(on)可能需要与EMI兼容。此外，在SiC MOSFET的情况下，EMI兼容性比IGBT更关键，因为它具有更大的振荡幅度和频率，可作为噪声源工作。
图 6. SiC MOSFET导通波形与直流链路环路电感的关系
表 6. SiC MOSFET导通特性与直流链路环路电感的总结 |
