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SiC仿真攻略手册——使用仿真模型进行拓扑分析

2024-3-7 09:10| 发布者: 闪电| 查看: 4| 评论: 0

摘要: 过去,仿真的基础是行为和具有基本结构的模型,它们主要适用于简单集成电路技术中使用的器件。但是,当涉及到功率器件时,这些简单的模型通常无法预测与为优化器件所做的改变相关的现象。现在,通过引入物理和可扩展 ...
过去,仿真的基础是行为和具有基本结构的模型,它们主要适用于简单集成电路技术中使用的器件。但是,当涉及到功率器件时,这些简单的模型通常无法预测与为优化器件所做的改变相关的现象。现在,通过引入物理和可扩展建模技术,安森美(onsemi)使仿真精度进一步提升到更高的水平,此前我们为大家介绍了物理和可扩展仿真模型功能以及使用Cauer网络仿真热行为及评估各项因素对开关损耗的影响,本文将为大家带来使用物理和可扩展仿真模型进行拓扑分析

飞跨电容升压


在图28中,飞跨电容升压(FCB)是一种用于太阳能应用的拓扑结构。由于面板输出电压随功率而增加,因此使用的标称电压在1000V以上,而 1200V器件额定电压不足以在这些情况下提供安全裕量。如果无法获得额定电压较高的器件或其效率较低时,堆栈拓扑通常可以解决这一问题。FCB就是其中的一种。它具有单输入和输出电压的优势——不需要使用复杂或额外的平衡回路来控制中点电压以获得分总线电压。

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图28.飞跨电容升压原理图


达到稳态后,我们可以使用图29至31中的结果分析该工作点的几个参数。

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图29.飞跨电容升压开关电流波形

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图30.飞跨电容升压电容电流波形

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图31.飞跨电容升压电容电压波形


我们可以局部放大MOSFET和二极管的导通与关断。

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图32.飞跨电容升压开关导通和关断电流波形


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