逆變焊機通常是通過IGBT功率模塊解決方案設計來實現更高輸出功率,從而幫助降低節能焊機的成本、重量和尺寸[1]。 在焊機行業,諸如提高效率、降低成本和增強便攜性(即,縮小尺寸並減輕重量)等趨勢一直是促進持續發展的推動力。譬如,多個標準法規已經或即將強制規定焊機的電源效率達到特定水平。其中一個例子是,2023年1月1日生效的針對焊接設備的歐盟(EU)最新法規[2]。因此,對於使用功率模塊作為典型解決方案的10kW至40kW中等功率焊機,順應這些趨勢現在已變得非常困難。 英飛凌CoolSiC™ MOSFET 1200V採用基於.XT擴散焊技術的TO-247封裝,大大提升了器件的熱性能和可靠性。結合特定的冷卻設計(“為了增加散熱,將器件單管直接貼裝在散熱片上,而未進行任何電氣隔離”[3]),它提供了更出色的器件單管解決方案(圖1)。它可實現更高輸出功率,提高效率和功率密度,並降低中功率焊機的成本。 採用.XT擴散焊技術的 增強型CoolSiC™ MOSFET 1200V充分利用了基於英飛凌.XT擴散焊技術的改良型TO-247封裝。這項技術採用先進的擴散焊工藝。如[4]中所作詳細討論,這種封裝技術的主要優點是大幅減小焊接層的厚度(圖2),其中,特定的金屬合金結合可顯著提高導熱率。這一特性降低了器件的結-殼熱阻(Rthj-case)和熱阻抗(Zthj-case)。 這種焊接工藝可避免晶片偏斜和焊料溢出,並實現幾乎無空隙的焊接界面,從而提高器件的可靠性。此外,它提高了器件在熱-機械應力下的性能,這意味著器件在主動和被動熱循環測試條件下具有更出色的性能。總的來說,採用基於.XT擴散焊技術的TO-247封裝的CoolSiC™ MOSFET 1200V,可使焊機電源設計實現更好的熱性能和可靠性。 圖2:英飛凌.XT擴散焊技術較之於常規軟焊工藝 採用CoolSiC™ MOSFET器件單管的500A逆變焊機功率變換器設計 一家大型製造商的焊機,其獨特的500A功率變換器設計展示基於.XT擴散焊技術TO-247封裝的CoolSiC™ MOSFET 1200V,用於中等功率焊機的改良型解決方案。它使用了前文探討的冷卻概念,如圖1所示,器件貼裝在散熱片上而不進行電氣隔離。此外,為了證實其具備更好的性能,在相同的測試條件下,將其與主要競爭對手的SiC MOSFET進行了對比。 焊機電源由一個三相輸入,全橋拓撲逆變器構成,使用了英飛凌提供的4顆TO-247 4引腳封裝的基於.XT互連技術(IMZA120R020M1H)的20mΩ 1200V CoolSiC™ MOSFET。表1列出了逆變焊接的基本技術規格: 表1:焊機電源逆變器基本技術規格 請注意,相比於在10kHz至20kHz開關頻率下工作的中等功率焊機所用的典型IGBT模塊解決方案,SiC MOSFET的超高開關速度能夠顯著提高典型工作開關頻率。這有助於縮小磁性元件和無源器件的尺寸,從而縮小逆變器尺寸。 此外,為了滿足表1所列要求,選擇了適當的散熱片和空氣流,以提供適當的熱時間常數。所有散熱片均在大約5分鐘後達到熱穩態條件,冷卻系統設計亦隨之達到熱穩態條件(圖3)。這樣一來,在最大運行要求的60%焊接占空比內,SiC MOSFET器件即已達到熱穩態條件。 ![]() 圖3:散熱器的熱穩態條件和散熱能力
圖4:焊機電源逆變器工作期間的典型SiC MOSFET波形
最後,哪怕考慮到最高40°C環境溫度,這種SiC MOSFET單管解決方案亦可輕鬆滿足最高80°C散熱片溫度要求。 總而言之,測試結果證實並證明,CoolSiC™ MOSFET單管解決方案通過採用直接將器件貼裝在散熱片上而不進行電氣隔離的冷卻概念,可助力實現通常選用功率模塊解決方案的20kW及以上中功率焊機的逆變器設計。
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