一般市场上提到的第3代半导体，通常泛指WBG产品，而常见的WBG产品为GaN MOSFET与SiC FET二种功率元件。而WBG产品与silicon MOSFET最大的差异为能阶，也就是电子伏特，silicon MOSFET在电子伏特为1左右，而SiC FET在电子伏特为3.X，同时能阶又与耐压相关连，因此GaN MOSFET为高耐压产品。同时GaN MOSFET在电子飘移速度比较快，适合高频切换应用，适合应用在高功率密度产品设计。
 一般在评估半导体的特性会利用Qoss/Qrr/Eoss/Qg/VF关键品质因素来当作参考依据 - Qoss→在soft switching的架构上，Qoss小，则dead time在设计上可以比较短，有效传递能量时间可以增加，有利于提升效率。GaN MOSFET相较于silicon MOSFET有大幅度的减少
- Qrr→在半桥架构下容易造成硬换相，较小的Qrr可以减少short through的现象发生。GaN MOSFET相较于silicon MOSFET有相当程度的降低
- Eoss与hard switching相关(例如flyback架构)，在硬切影响切换损失。GaN MOSFET相较于silicon MOSFET也是呈现比较小的数值
- Qg影响驱动损耗，主要影响轻载效率。GaN MOSFET相较于silicon MOSFET有大幅度的降低
- 由于半导体材料因素，GaN MOSFET相较于silicon MOSFET在Vf值来得略大一些，同时VF与Vgs相关连
当WBG材料尚未发展时，主要的半导体材料以silicon为主。在高频化与高功率密度的产品需求上一般建议使用GaN MOSFET的产品。而SiC FET的产品具有较好的温度特性，适合大功率的产品应用。在三者重叠的部分，则可以针对客户当下的产品规格与成本来选择适当的产品。
由于GaN MOSFET为Normal on的形式，但Normal on对使用者而言在使用上并不是这么方便，因此GaN MOSFET通常会做成Normal off的方式，要达到Normal off一般常见的有Cascode与Enhance mode二种结构 - Cascode是在高压GaN串接低压MOSFET，只适合应用在高压的GaN MOSFET产品，不适合中、低压，且为二个die不容易模组化，dv/dt不可太大，以免高压GaN MOSFET比低压MOSFET提前导通，而造成发生低压MOSFET损坏，造成在产品稳定性会有疑虑
- Enhance mode适合应用在高、中、低压的GaN MOSFET产品，且为signal die较易模组化
- IFX GaN MOSFET产品为Enhance mode结构
 下图为GaN MOSFET剖面图，呈现为水平结构形式，在底层(Substrate基质)为silicon结构，厚度约为320um，剩下GaN只占5um的厚度，同时gate、drain与source 都是在最上层，在GaN与AlGaN之间会生成二阶电阻，达到切换速度快与Rds-on低的原因，IFX在gate为P-GaN形式，使其GaN MOSFET由normal-on改为normal-off的状态，GaN MOSFET会有电流塌陷问题，在drain附近长P-GaN层来解决电流塌陷问题(特别是在高电压时)，来减少部分空乏的现象的情形。 
参考资料来源:www.infineon.com
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