准谐振 InnoSwitch3-CP将一次侧、二次侧和回授电路整合在单一表面接合封装中。在最新发布的系列成员中,"GaN" 切换开关取代了 IC 一次侧的传统硅高压电晶体,减少了电流流过时的导通损耗,并大大降低了运作期间的切换损失。这样可以大大减少能源浪费,从而提高节省空间的 InSOP-24D 封装的效率和功率输送。
GaN 是一项关键技术,与硅相比具有显著的效率和尺寸优势。预计在许多电源应用中,硅电晶体将快速转换为 GaN。自从PI在 18 个月前推出硅变异体以来,InnoSwitch3 一直是离线式切换开关 IC 市场的技术领导者,基于 GaN 的新型 IC 透过提高返驰式产品的效率和功率能力,拥有更佳的竞争优势
InnoSwitch3-CP 系列装置整合了多种保护功能,包括线电压过压和欠压保护、输出过压和过电流限制,以及过温关机。此系列装置支援常见的Latch与Auto-restart组合,可满足多种应用的要求,如快速充电和 USB PD 设计。此装置分为具有和不具有缆线压降补偿两款。
InnoSwitch3 INN3279C 和Weltrend WT6615F for 60W Power Supply
此范例呈现PD常见电压范围5V/3A; 9V/3A; 15V/3A and 20V/3A Outputs,利用InnoSwitch3与PD制器匹配而成的Power Supply说明,该设计不只显示了高功率密度与高效率的卓越表现,同时也表达了小型化的优势。
►场景应用图

►产品实体图

►展示板照片


►方案方块图

►核心技术优势
高度整合、占用面积小 准谐振 (QR)/CCM 返驰式控制器、高压一次侧开关、二次侧感测和同步整流驱动器 整合式 FluxLink、HIPOT 隔离回授连结 准确的 CV/CC/CP,不受外部元件的影响 外部 IS 电阻器,允许自订定电流 (CC) 程式化功能 开路 SR FET 闸极侦测 快速输入线电压 UV/OV 保护 具有多种设定的缆线压降补偿 可变输出电压、定电流分析 锁定或磁滞一次侧过温保护
►方案规格
InnoSwitch-3具有隔离,高整合度的AC/DC IC 简化一次侧调节,具有二次侧控制之优势 内置同步整流,效率高 符合DOE6和CoC Tier 2 V5 2016 无负载时功率低于 30 mW (包含线电压感测) 初级感应过压保护 传导EMI的容限大于6 db 高效率 5 V Output – 92.0% at 115 VAC and 91.2% at 230 VAC 9 V Output – 92.7% at 115 VAC and 92.7% at 230 VAC 15 V Output – 92.8% at 115 VAC and 93.3% at 230 VAC 20 V Output – 92.7% at 115 VAC and 93.4% at 230 VAC