其中IQ,RMS是MOSFET电流的RMS值，PQ,CON是由MOSFET电流引起的传导损耗，ON是MOSFET的导通电阻。 导通电阻被描述为“静态导通电阻”取决于结温度而变化。这种变化信息通常以图表形式提供在数据表中并且可能因制造商而异。计算时传导损耗，通常用RDS,ON乘以三，开启更准确的估计。 精确的关断损耗计算是困难的，因为MOSFET的非线性特性关断。什么时候MOSFET的分段线性电流和电压假设关断和电感负载，MOSFET关断 损失计算如下：
其中tOFF是关闭时间，fSW是开关频率边界模式PFC电感器电流和开关频率在每个开关时刻变化。RMS感应器一个AC上的电流和平均开关频率 可以使用周期代替瞬时值。 根据输入改变单个损失部分电压最大传导损耗出现在低端因为高输入电流；和最大关断由于高开关量，在高压线出现损耗频率由此产生的损失始终低于 上述计算的两个损失的总和。 有效电容造成的电容放电损耗显示在漏极和源极，一种减少dv/dt和寄生的外部附加电容器漏极引脚处显示的电容也在MOSFET。该损失计算如下：
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