[SSTEP-5]输出电容器选择 当选择输出电容器。图25显示了这条线输出电压上的频率波动。使用给定的输出纹波规格，输出条件电容器获得为：
其中VOUT，RIPPLE是峰间输出电压纹波规格由ESR引起的输出电压纹波电解电容器不像其他电源那么严重因为输出电压高，负载电流 小的由于输出电压波动过大在正常运行期间导致过早OVP，峰值峰值纹波规格应小于标称输出电压。当确定所述输出电容器为：
其中tHOLD是所需的保持时间，VOUT，MIN是保持时间期间的最小输出电压。
图25。输出电压纹波 电容器的额定电压可通过以下公式获得：
其中VOVP,MAX和VREF是最大公差过电压保护触发电压规范以及误差放大器处的参考电压。 （设计示例）对于8Vp-p的纹波规格，电容器应为：
由于一个周期内的最小允许输出电压线路（20ms）压降为330V，电容器应为：
为了满足这两个条件，输出电容器必须大于140µF。选择240µF电容器用于输出电容器。 所选电容器的电压应力计算如下：
[SSTEP-6]MOSFET和二极管选择 选择MOSFET和二极管需要广泛的关于损失机制的知识和计算如果正确选择散热片补充。有时损失计算本身基于可能与现实相去甚远的假设。参考行业关于这些主题的资源。此注释显示基于线性近似。 MOSFET的电压应力如下：
其中VDROP,DOUT是输出二极管的最大正向压降。 MOSFET关断后，输出二极管导通并且大的输出电解电容显示在排水销；因此，漏极电压箝位电路是在PFC中，在其他拓扑上是不必要的。 在关断瞬态期间，升压电感器电流发生变化从MOSFET到输出二极管的路径。输出前二极管导通；在漏极处可以看到一个小的电压峰值 其与MOSFET关断速度成比例。 MOSFET损耗可分为三部分：传导损耗、关断损耗和放电损耗。边界模式保证MOSFET的零电流开关（ZCS）因此接通损耗可以忽略不计。 MOSFET RMS电流和传导损耗为获得如下：
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