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IGBT单管数据手册参数解析——上

2022-12-15 13:11| 发布者: 闪电| 查看: 1| 评论: 0

摘要: IGBT是大家常用的开关功率器件,本文基于英飞凌单管IGBT的数据手册,对手册中的一些关键参数和图表进行解释说明,用户可以了解各参数的背景信息,以便合理地使用IGBT。英飞凌的IGBT数据手册通常包含以下内容:封面, ...

IGBT是大家常用的开关功率器件,本文基于英飞凌单管IGBT的数据手册,对手册中的一些关键参数和图表进行解释说明,用户可以了解各参数的背景信息,以便合理地使用IGBT。

英飞凌的IGBT数据手册通常包含以下内容:

  1. 封面,包括器件编号,IGBT技术的简短描述,如果是带共封装续流二极管的器件,数据手册也会包括二极管的功能,关键参数,应用以及基本的封装信息。

  2. 最大额定电气参数和IGBT热阻/二极管热阻

  3. 室温下的电气特性,包括静态和动态参数

  4. 25°C和150°C或175°C时的开关特性

  5. 电气特性图表

  6. 封装图

  7. 关键参数的定义图

  8. 修订历史


1.英飞凌IGBT的命名


参考已有文章《英飞凌IGBT单管命名规则》

2.最大额定值

■ 集电极-发射极电压VCE

该值定义了基于IGBT大规模生产的统计分布的最低击穿电压极限。此外,它定义了在结温为25℃时,集电极和发射极之间的最大允许电压,超过这个极限就会导致器件的寿命缩短或器件失效。一般来说该值随结温的降低而降低。该值也可由数据手册静态特性部分规定的参数ICES来验证。



 集电极直流电流IC

IC定义为集电极-发射极直流电流值,在起始壳温TC(通常为25°C或100°C)时,通流并导致IGBT达到最大结温TvjmaxTC=100°C时的数值通常被用作器件的额定电流和器件的名称。

 

IC由下述公式得到:


参考《IGBT的电流是如何定义的》


 集电极瞬态电流ICplus

ICplus被定义为开启和关闭时的最大瞬态电流。理论上,它受到特定时间内的功率耗散的限制,这使得器件可以在Tjmax≤175°C的最大结温限制内运行。然而,还有一些其他的限制,例如键合线配置、可靠性考虑以及避免IGBT闩锁的余量。对于最近推出的IGBT,它的瞬态电流通常是额定电流的3~4倍,以保持高水平的可靠性以及使用寿命。

此外,这个值也定义了SOA中的电流限制。




 共封装续流二极管电流IF和瞬态电流IFplus

与集电极瞬态电流ICplus和集电极瞬态电流ICplus的定义相同,用于定义共封装续流二极管正向持续电流IF和二极管瞬态电流IFplus



■  栅极-发射极电压VGE

该参数定义了最大的栅极电压。第一种是静态电压,对应的是在不损坏器件本身的情况下连续工作的栅极电压最大值。第二种为瞬态电压,对应于瞬态运行时的最大值,可以应用在栅极上而不引起损坏或退化。如果栅极上的电压应力意外地高于指定值,可能会立即发生故障,也可能导致栅极氧化物退化,从而引起后续的故障。


 

■  耗散功率Ptot

Ptot描述了器件允许的最大功率耗散,与IGBT的芯片结到外壳的热阻相关,可以通过下述公式计算:

∆T定义为芯片结到外壳的温度差,∆T=Tvjmax-TC




■  运行结温Tvj

这个参数对设计极为重要。尽管一旦超过极限,器件可能不会立即失效,但将导致器件的退化和使用寿命的缩短。



■  热阻Rth(j-c) 

热阻表征了功率半导体在稳定状态下的热行为。相应地,瞬态热阻抗Zth(j-c)描述了器件在瞬态下的热行为。IGBT/二极管的外壳被定义为整个器件的引线框架。FullPAK封装器件,中间的引脚被视为外壳。数据手册中所述的最大值考虑到了大规模生产时的公差,在产品设计时,需要使用该数值。



芯片结到外壳的热阻Rth(j-c)是确定半导体器件热行为的一个关键参数。然而,在任何设计中,将一个产品的热阻值同另一个产品的热阻值直接比较是不够的。如下图所示,在电源系统的热耗散路径中,芯片结到环境的热阻Rth(j-a)起着最重要的作用,因为它决定了工作条件下的热限制。它由外壳到环境的热阻Rth(c-h)+Rth(h-a)和从结到外壳的热阻Rth(j-c)组成。在大多数情况下,热界面材料、绝缘垫片和散热器的热阻在Rth(j-a)中占主导地位。对于IKW40N65H5,Rth(j-c)最大值为0.6K/W。典型的热界面材料(TIM)和绝缘垫片的热阻值可能低至1K/W,而散热器对环境的热阻可能从强制通风的1K/W到不通风的几十K/W。因此,与总的Rth(j-a)相比,Rth(j-c)的影响只在个位数百分比到几十个百分比之间。



 

3. 静态特性

■  集电极-发射极击穿电压V(BR)CES

该参数定义了特定漏电流下的最小击穿电压。本例以IKW40N65H5为例,定义V(BR)CES时使用的漏电流IC=0.2mA,不同的芯片尺寸以及不同的IGBT技术标定时使用的漏电流都有所不同。集电极-发射极击穿电压随芯片结温变化。通常,对于大多数英飞凌IGBT产品来说,它是一个正的温度系数。



■  集电极-发射极饱和电压VCEsat

VCEsat代表额定电流流过IGBT时,集电极和发射极之间的电压降。它通常在15V栅极电压以及几个不同芯片结温下定义。

一般英飞凌最新的IGBT,VCEsat显示出正的温度系数,这样的特性有利于IGBT在高功率应用中的并联,电流会在并联器件之间自动均流。



  • 二极管正向电压VF

二极管正向电压VF是指二极管在导通模式下的电压降。在数据手册的图表中,给出了典型的VF与温度的关系,如下图所示。请注意,二极管在额定电流下,通常具有轻微的负温度系数的特点。



  • 栅极-发射极阈值电压VGE(th)

该参数表示可以启动集电极到发射极电流的最小栅极电压。一般来说,该电压随着芯片结温的升高而降低,这意味着VGE(th)拥有负温度系数,在并联使用时,需要仔细考虑这一点。





■  漏电流ICESIGES

这些参数表示集电极和发射极之间的漏电流(ICES)和栅极和发射极之间的漏电流(IGES)的上限。它们通常由技术、生产和工艺决定。ICES与击穿电压相关。当器件处于关断模式,在集电极和发射极之间施加电压时,ICES在IGBT中流过,它引入了静态损耗。为了减少这些损耗的影响,ICES必须尽可能地保持低,低漏电流值也有助于提高最终产品的质量和可靠性。



跨导gfS

跨导gfS代表了根据栅极电压变化而产生的电流变化。如下图所示,在50A的集电极电流和175°C的Tvj温度条件下,绿色线的斜率正好是跨导21。



未完待续,动态特性及开关特性敬请期待下篇。


原文链接:https://mp.weixin.qq.com/s/QwPT56if3vQau8aS3WYDFg

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参考来源

英飞凌工业半导体 周明: https://mp.weixin.qq.com/s/QwPT56if3vQau8aS3WYDFg


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