安森美NCP51561半桥驱动的应用

     NCP551561是磁隔离的双沟道栅极驱动器，分别具有4.5-A/9-A源极和吸收峰值电流。它们设计用于快速切换以驱动功率MOSFET和SiC MOSFET功率开关。NCP551561提供了短且匹配的传播延迟。两个独立的和5 kVRMS（UL1577额定值）电流隔离的栅极驱动器通道可用于两个低侧、两个高侧开关或半桥驱动器的任何可能配置，具有可编程死区时间。当设置为低时，使能引脚同时关闭两个输出。NCP551561提供了其他重要的保护功能，如栅极驱动器和启用功能的独立欠压锁定。

一. 芯片特性

• 宽电压驱动范围：从6.5 V到30 V，具有 5-V、8-V 和 17-V UVLO 阈值
• 两个输出驱动器拥有独立 UVLO 保护
• 4.5 A峰值源，9 A峰值吸收输出电流能力
• 可编程死区时间
• 可应用于双低侧、双高侧或半桥驱动
• 隔离和安全
• 5 kVRMS隔离，输出通道之间的1500 V峰值差分电压
• 8000 VPK加强隔离电压（根据VDE0884−11要求）
• 单或双输入模式

二.内部框图


三. 典型图
    1. 双输入


 2.单输入