3.2电流传感级（CS引脚） 电流感测是所有IPD保护中最敏感的模块，因为它依赖于以下电压水平： 毫伏的范围。因此，进入CS引脚的信号必须尽可能干净。在里面在这方面，采取的第一种措施是将滤波电容器与电流感测电阻器并联 （图3.1中的电容器C2）。该电容器旨在过滤由寄生电感产生的尖峰感测电阻器。为了强烈地减少这种尖峰的产生，具有低寄生的感测电阻器 建议使用电感。 典型应用 此外，第二旁路电容应置于CS和GND引脚（电容器C4）之间。这电容器的主要目的是减少接地路径中寄生电感产生的尖峰。 为了降低电感，IPD保护的发射极引线必须尽可能靠近设备主体。或者，旁路电容器C4也必须非常靠近封装体放置。 当C4过滤CS引脚上的接地反弹时，它还与电阻器R4一起充当低通滤波器因此，必须正确选择C4、R4和R5的值，以确保适当的IGBT的复制品，从而不影响过电流限制的适当功能。 R4电阻器的最小值应为1千欧姆，以限制通过内部ESD的电流由瞬态引起的二极管。 3.3集电极电压监测级（VDET引脚） 如第2.2节所述，IPD保护装置实施有源箝位控制块，以防止集电极-发射极电压上升到IGBT的最大耐受电压以上。至于电流感测时，ACC块使用集电极-发射极电压的缩放副本，该副本必须在外部提供在VDET引脚处。由于稳定的电压对该模块也很重要，建议旁路电容器位于VDET和GND引脚之间（图3.1中的C1）。同样的考虑 第3.2节中的低通滤波器设计在此也有效。 3.4 INN输入阶段 一个100欧姆的电阻器应与INN输入串联，以限制通过内部ESD的电流由瞬态引起的二极管。
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