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3.3 尖峰电压吸收电路设计 功率MOSFET管在关断时会在变压器初级绕组上产生尖峰电压和反射电压，加上直流侧的高压，很容易损坏功率MOSFET管，这就必须加入箝位电路来箝位[4]。本设计中采用反向击穿电压为200V的瞬态电压抑制器P6KE200和反向耐压为 1 kV的RS1M型超快恢复二极管,同时采用RC阻容吸收回路，以减少尖峰电压。 3.4 改进的启动电路设计 如图3(a)所示，传统启动回路采用齐纳二极管DZ限制控制芯片UC3844的启动电源的给定，当控制芯片处于稳定工作状态时，直流母线侧的电流依然流经启动电路，造成不必要的能量损失。 
图3 传统启动电路与改进启动电路的对比 为此，提出了一种改进的启动电路设计，如图3(b)所示。初始阶段，三极管Q导通， 直流母线电压Vi通过R16对电容C4充电，同时直流母线电压Vi通过电阻R15对电容C18充电，Vb处的电压最终稳定在如下电压： Vb=12+Vi*R2/(R15+R2) (7) 由于R15□R2，可以简单的认为Vb≈12V。由于控制芯片UC3844的启动和关断电压为16V和10V,为了使Q能够在系统稳定工作后关断，必须满足以下条件：
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三极管Q关断后，控制系统进入稳定的工作状态，芯片UC3844由反馈绕组进行供电，直流母线电流不在流经启动电路，大大减小了损耗。 4 实验结果及分析 按照上面的分析，设计了基于UC3844B的多路单端反激式开关电源。主要参数如下：开关频率f=50kHz，直流输入电压波动为120V□375V，直流多路输出电压为+5V/3A, +15V/1A， +24V/0.5A。图4是传统启动电路和改进启动电路的启动电压波形比较图。 由图可以看出，当启动电压达到16V时，UC3844B便进入稳定的工作状态，并最终稳定在12V。通过比较可以看出，传统的控制策略需要0.4s使其启动电压达到16V,而改进的控制策略仅仅需要0.1s，减小了启动时间，提高了控制效率。 |
