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驱动电路设计(九)——栅极钳位

2025-6-19 14:10| 发布者: 闪电| 查看: 10| 评论: 0

摘要: 现在市场上功率半导体器件IGBT,MOSFET,SiC MOSFET和GaN,大都是电压栅控器件,驱动起来比电流型双极性晶体管BJT容易得多,只需要有限的电荷给栅极电容充电,但问题是很容易受干扰,除了米勒电流造成的误导通以外, ...



图4. 脉冲功率降额曲线


在选择电源钳位二极管时,必须保证在高温下,二极管的漏电流或反向电流IR较低。如果反向电流太高,就成为驱动器电源不必要的负载,反向电流也会造成关断状态的功率器件栅极电压的被抬高。这时,如果没有RGE,驱动级对地具有高阻抗,甚至接近或超过功率器件的开通阀值电压,在一些不利条件下,功率半导体会由于这样的原因出现寄生开通。


与PN结二极管相比,肖特基二极管的正向电压很低,因此非常适合用于电源钳位。而选用PN结二极管后钳位电压至少为17V,特别是在BJT输出的栅极驱动中,图2a。当肖特基二极管用于MOSFET推挽输出级时,有可能把栅极电压UGE钳在+15V,图2b。


相比于PN结二极管,肖特基二极管的缺点在于它们在高温时反向漏电流更高。因此必须根据其反向电流的特征选择合适的肖特基二极管。图5a是快恢复PN二极管,图5b为肖基特二极管的漏电流特性。注意肖基特二极管的漏电流比硅快恢复二极管大很多。


图5. 肖特基二极管和快恢复PN二极管的IR=f(UR,Tj)特性


设计中还有一个问题也很重要,为了不对栅极钳位产生影响,栅极电压和电源之间的寄生电感应该尽可能的小,这也是功率器件应用的一般原则。


栅极钳位也不适合用于每个周期的正常开关过程。钳位时,驱动级电流会有一部分注入钳位二极管,这会造成驱动负载不必要的增加。所以在选择器件时,应保证其VRWM(最大反向工作电压)不低于且尽可能接近于被保护线路的正常最大工作电压,比如说15V。


主动关断电路


EiceDRIVER™ Compact 1ED314x对付米勒电流采用另外一种思路---主动关断功能。是驱动器的一项保护功能,其设计目的是防止功率开关栅极悬浮时的误导通。


如果驱动器失去电源,即VCC2掉电,驱动器的主动关断电路就动作,供电是驱动器所连接栅极的浮动电压。


如果开关上出现高速的dUCE/dt,就会产生米勒电流,主动关断电路一样可以提供米勒钳位,即使栅极驱动器没有接通电源,主动关断电路也会利用该电压为自己供电,并主动将栅极拉低。


图6. EiceDRIVER™ Compact 1ED314xMU12的主动关断


栅极钳位设计原则


栅极电压钳位是功率半导体可靠工作的必要条件,实现的方法是多种多样,设计中要抓住要点:

1

钳位电压以精确为好

2

钳位电路不要成为驱动的负载

3

钳位电路不能在正常工况时被触发

12

路过

雷人

握手

鲜花

鸡蛋

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