驱动电路设计（八）——米勒钳位杂谈

工程师可能也会想到在栅极和发射极之间外接个电容C_GE也可以降低密勒效应，但需要注意的是额外电容C_GE将影响IGBT的开通特性（参考资料2中的第6章6.6.2节）。通常,为了抑制或衰减不需要的振荡,可以用一个小电阻和电容串联。

外接个电容C_GE分流是一种古老的思路，集成电路时代一定会考虑用有源器件来实现同样或更好的功能，这就是米勒钳位功能。

以EiceDRIVER™ F3为例，该栅极驱动器增加了一个CLAMP管脚，跳过外接的栅极电阻R_G直接连接到功率管的栅极，并保证尽可能低的寄生电感。CLAMP功能脚在钳位非激活状态下监测栅极电压，一旦栅极电压相对于VEE2低于2V，便开通CLAMP与VEE2之间MOSFET，提供米勒电流低阻抗通路，防止寄生导通。钳位电路在栅极驱动器再次开通之前保持激活状态。

当米勒钳位信号走线电感比较大或者大功率器件米勒电流比较大的情况下，驱动芯片自带的米勒钳位表现并不理想。一般芯片的米勒钳位能力只有2A左右，这会降低大功率IGBT的钳位能力。这时可以选择带有外部MOSFET的预驱动器输出的驱动芯片产品，比如图6的英飞凌1ED3491。

外部的小信号N沟道MOSFET晶体管与驱动器CLAMPDRV脚相连，可实现大电流的箝位。如图6将MOSFET连接到CLAMPDRV输出、VEE2引脚和IGBT栅极之间。由于采用了米勒预驱动配置，钳位电流仅受外部钳位MOSFET晶体管的限制。根据外部MOSFET的不同，米勒电流钳位可达20A。钳位 MOSFET必须靠近IGBT栅极，以尽量减少米勒电流泄放通路的电阻和电感。

IGBT模块由芯片并联实现大电流的，为了均流，芯片上自带栅极电阻，数据手册上能找到具体数值。这一栅极电阻会影响密勒钳位的效果。尽管采用了密勒钳位，根据IGBT和系统设计的不同，栅极电压仍可能引起IGBT寄生开通。在这种情况下，建议最好避免采用单电源，正负电源可以更有效解决米勒导通问题。