从上面公式还可以看出,达到平均电压的时间与电容大小也有关,电容小则时间短,可以比较粉红色和绿色的平均电压建立过程曲线。 图3. 开关的占空比与自举电容 图4中显示了两种占空比: 1. Rboot=220Ω、Cboot=1µF、D=10%,红色曲线; 2. Rboot=220Ω、Cboot=1µF、D=30%,粉红色曲线; 看到占空比是10%时,时间常数是2.2ms,当占空比提高到30%时,时间常数只有733μs. 按照上一篇文章的稳态讨论结论: QTOT=QG+Ileak*TOFF=QG+Ileak*(1-D)*TS, QTOT在低占空比时会增加。在这种情况下,就需要采用较大的自举电容器,以控制纹波和增加平均电压时间常数。 自举电压与基波的关系 由于有自举电阻和电容存在,可以认为其是占空比变化的自适应滤波器。以正弦调制加3次谐波注入的为例,在仿真中,一个基于正弦波基波加上3次谐波调制的PWM信号被送到电路中(TS=50µs,频率=fe)。 图4显示了不同输出频率下的预期(计算值)VBS。占空比用角度表示(等于2πfe,其中fe为输出频率)的函数(正弦+3次谐波),该角度从0°到360°。 图4. 不同输出频率下的VBS 系统的不同输出频率也会影响自举电压值,即不同fe得到的VBS电压,基波频率低,自举电压纹波就大。黄色曲线VBS(DC)代表使用前面提到的静态方程时得到的曲线,是最最严酷的工况。 本文的例子是使用三相空间矢量(或三相正弦波+3次谐波)调制的情况。其他类型的调制时的工况需要另外分析。 结论: |
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