自举电容 自举电容器向高压侧电路提供的总电荷可通过下列公式计算得出: VBS的纹波振幅为: 上式说明自举电压的纹波只与总电荷和自举电容有关,总电荷也要考虑内部电平位移电路所需的电荷QLS和在关断时栅极驱动器高压侧电路提供的直流电流,可能两者可以忽略。 自举电压的跌落 半桥电路上管用自举供电,其电压一定会低于芯片供电电压,也低于下管的驱动电压,这一问题值得仔细研究,最终目的是探讨最小占空比问题。 VBS的波形如图所示,图中对各种贡献进行了区分。Vdrop表示VBS从其可达到的最大(VBSMAX)下降的幅度(VB纹波最低谷的值)。 VBSMAX在实际系统中也就是驱动芯片供电电压VCC。 图3:Vdrop波形:条件为占空比小于4倍的自举电阻和电容的时间常数/Ts 如上图,Vdrop的幅值为: 上面这种工况是占空比比较低,如以下公式那样实际充电时间小于4倍RC常数。充电不足,电压跌落较大。使VRboot大于∆VBS/2。
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