驱动电路设计（五）——驱动器的自举电源稳态设计

当选择驱动电源电压时，要考虑自举电路的损耗，必须考虑驱动器内部电压降以及自举二极管VD_b和电阻R_b的压降，还必须减去下桥臂IGBT VT₂的饱和电压。最终的自举电压要保证上管IGBT栅极电压不能太低而导致开通损耗增加（因为电压U_CEsat增加）。

上下驱动器的供电电压都是U_Supply。然而，上桥臂驱动器的供电电压需要减去上文提到的电压，这样导致上桥臂的IGBT VT₁驱动电压总是要比下桥臂VT₂要低，是在不同的正向栅极电压下开通的。因此，电压U_Supply选取应当保证VT₁有足够的栅极电压，并且同时VT₂的栅极电压也不会变得太高。

对于自举电容器，应该选用低等效串联电阻ESR和等效串联电感ESL的电容器(比如陶瓷电容)，这样可以有效为驱动提供脉冲电流。根据需要和应用环境，也可以选用高容量的电容(比如电解电容)与这些电容并联使用。相比陶瓷电容，电解电容具有更高的ESR和ESL值，所以建议并联陶瓷电容。通常，这一设计原则也适用于下桥臂驱动器的缓冲电容C₂。

用自举电路来提供负电压的做法是不常见的，如此一来，就必须注意IGBT的寄生导通了(密勒钳位可以防止寄生导通,参考《驱动电路设计（三）---驱动器的功能---电源》)。