SiC Combo JFET性能评估：静态特性、动态特性等

2025-6-13 13:21| 发布者: 闪电| 查看: 1| 评论: 0

摘要: 安森美推出了具有卓越 RDS（on）*A 性能的 SiC JFET。该器件特别适用于需要大电流处理能力和较低开关速度的应用，如固态断路器和大电流开关系统。得益于碳化硅（SiC）优异的材料特性和 JFET 的高效结构，可实现更低 ...

安森美推出了具有卓越 R_DS（on）*A 性能的 SiC JFET。该器件特别适用于需要大电流处理能力和较低开关速度的应用，如固态断路器和大电流开关系统。得益于碳化硅（SiC）优异的材料特性和 JFET 的高效结构，可实现更低的导通电阻和更佳的热性能，非常适合需要多个器件并联以高效管理大电流负载的应用场景。第一部分介绍了SiC Combo JFET 技术概览、产品介绍等（