图十一：锁定局部区域进行去层，可以精准停留在指定目标金属层，相较传统手法可降低过度研磨问题
(数据源：宜特科技)
（四）FIB Delayer技术应用于故障分析Nano Probe测试 在测量先进工艺或高速讯号功能的芯片时，若使用FIB Pad方式进行测试，可能会因额外增加的阻抗或容抗而导致讯号失真。为了解决这一问题，可以使用宜特故障分析实验室建置的奈米探针电性量测(Nano Prober)设备，将损耗降至最低。 在此之前，须对芯片进行去层(delayer)，然而传统的去层技术需要全面性的逐层研磨至目标金属层，这不仅耗时，且在面对先进工艺芯片时，过度研磨的风险也会相对增加。在这种情况下，FIB可以精确的锁定局部区域进行去层，大幅降低失败风险，FIB的蚀刻技术成为一个理想的解决方案。 |
