在讲这个之前，我再做一个补充：  这个电路是断路的，一旦 GS 电容上有电的话，那么 DS 实际上是导通的，与有 没有回路没有关系。正式因为这样子的一个特性，那么，我们拿到一个管子的时 候，我们也不知道这个管子 GS 有没有电，这个管子有可能是导通的，放到电路 上去焊接的时候，可能会出现问题。为了考虑到安全性，我们必须在电路设计的 时候，在 MOSFET 的 G 和 S 之间要加一个电阻，这样子就可以让 GS 电容进行放 电，有了这样的一个放电回路，不管前面驱动端是高阻态也好，是断路也好，反 正 G 和 S 之间是有回路的，确保管子是关闭的。  我们把 GS 之间接一个下拉电阻。那么接下来就要看，这个下拉电阻的取值。实 际上这个下拉电阻相当于三极管 N 管的下拉电阻。我们说，学习 MOS 管，要对 标我们大家都熟悉的三极管，这样就更轻松，更容易理解。  我们说，这个下拉电阻的好处是什么啊？ 1. 可以确保 B 极是两态（三态：高、低、高阻态）。 实际上，我们害怕的就 是高阻态嘛，由于当你前面不接的时候，又断开了，才有高阻态。在电路设计中， 我们从逻辑角度来讲，不是高就是低，这样子才是最好的，有利于电路的逻辑。 同样的，MOSFET 加了一个下拉电阻。  作用：确保给 GS 电容提供放电回路——确保关断，低态。 这样 MOSFET 就只有两态，不是高就是低。另外，下拉电阻，也可以防止雷击，静电。 实际上，对于晶体管来说，如果没有一个完整的额回路，是不导通的；但是 MOSFET 不一样，它不需要一个完整的回路，也能够让它导通。 接下来我们研究一下 MOSFET 的开通问题： 由于有这个 GS 电容的存在，MOSFET 的开通，肯定就会有一个延时 我们这个 MOSFET 的模型怎么去建立呢？  我们前面讲过了，MOSFET 在导通的时候，DS 之间还有一个 Rdson，导通阻抗。  问题补充：  我们说，晶体管这个地方的下拉电阻是 2K，是经过大量的实验电路和验证的。 对于低功耗的电路来说，这个电阻可以取高一点，但是不要取的太低。取的太低 的话，就有可能导致晶体管不能正常的工作。为什么这么说呢？我们可以举个例 子：  因为 be 钳位电压，导通之后是 0.7V，前提是导通之后，这一点很重要哦。  电阻分压后，M 电的电位要大于 0.7V 才行，所以，下拉电阻不能太小。 我们假设下拉电阻取 100Ω：  那么，M 点分压后小于 0.7V，三极管是不会导通的。所以，下拉电阻不能太 小，当然也不能太大，否则，对于高频开关信号来说，会影响它的关断时间。大家在以后的电路设计中，如果是频率相对较高的开关信号，一般都取 2K，就不 用再考虑其他的了  我们再来看 MOSFET 的下拉电阻，取多少呢？我们知道三极管的阈值电压是 0.7V，而 MOSFET 的阈值电压远远大于 0.7V，其实这里的阻值选取跟这里阈值电 压有关，如果这里取小了，那么分压之后，一直在它的平台电压，那这个 MOSFET 肯定也是不行的。所以，MOSFET一般地下拉电阻取值可以取大一点，这样MOSFET 开通就不会产生影响，而 MOSFET 的放电更多的是靠前面进行放电，也没事的对 吧。当然，这个电阻也不能太大，否则静电雷击也会对 MOSFET 造成损坏。 MOSFET 下拉电阻选取原则： |
