MOSFET 又叫场效应晶体管，那么如何去学好 MOS 管呢？大家都对 三极管有了解了，已经弄明白了。实际上，要想学好 MOS 管，首先我 们要对标三极管来学。我们说，三极管有 N 管和 P 管，同样的，MOS 管也有 N 型和 P 型。这里我们只讲 N 型 MOSFET。  N 型 MOSFET 也有三个极：栅极 源极 漏极，字母表示：G D S， 对标三极管的 b c e（如上图所示）。三极管具有功率放大的作用， 放大的是电流，实际上是等效内阻变小。MOS 管也具有功率放大的作 用。那么，不管三极管还是 MOS 管，它都有控制极和输出极。 控制极的电流很小，控制信号的内阻大 输出极的电流很大，输出信号的内阻小  我们先举例三极管，对于三极管来说，用一个很小的 ib 电流，来 控制很大的 ic 电流。Ib 和 Ic 有β的关系，假设β是 100，那么 Ic 比 Ib 大 100 倍，等效 CE 内阻比 BE 内阻小了 100 倍。 三极管放大的前提条件，Ib Ic 需要有电流。什么条件下有电流 呢？Ib Ic 各自必须要有完整的回路，既然有回路，就有电流，这个 三极管的特质。那么，既然有回路有电流，必然会产生功耗。 所以，电路设计中，三极管用的越多，则功耗就越大。这就是早 期的主控芯片功耗大的原因。 三极管是一个流控流型的器件，因为有这个问题的存在，我们得 改进啊是吧，不用电流来控制呢？这样子，场效应管就应运而生了。 MOSFET 的诞生，需要解决三极管的瓶颈问题。 由于三极管这里的β只有 100 倍，如果 Ic 要求是 100A，Ib 至少 要是 1A 是吧，也就是说，你的控制极就要是 1A，如果我有 10 个， 那就要是 20A，那这要多大的电源才能提供啊，这是一个问题，对不 对啊。控制电流太大，要求电源提供更大的能力。 我们再来看下面一个问题： Ib 是 1A，那么 BE 压降是多少呢，也就是 Vbe = 0.7V。如果说 0.7V*Ib=0.7V*1A=0.7W，功耗 Pb 就是 0.7W 了。Ic=100A，Vce=0.3V， Pc=30W。这些都会在三极管里消耗，也就是说三极管本身就要差不多 消耗 30W，很明显，我们为了控制 100A，这个管子就要消耗 30W。如 果 10 个管子，就要 300W。那这个电路就无法设计了啊。而且 30W 的 管子，发热是无法承受的，所以说就无法使用。 所以说，我们就得出结论：晶体管它的功率和电流不能太大，有 上限限制，基本上都是 mA 级别，也有 A 级别，但是那个就用的很少 了。我们就把希望寄托于场效应管上面，它是一个新事物的诞生，它 一定要解决功耗的问题，也就是解决电流的问题，任何一个器件都是 有内阻的。要想没有功耗，就不能有电流，不能有电流应该怎么办？ 在电子世界中，除了电流是电压，既然流控型不行，那么能不能 做一个压控型的呢？这个管子的导通不导通只关注电压的阈值，那么 这个时候就让电流很小，就能解决这个问题。 对于 MOSFET 来说，GS 内部有一个电容存在的。充满电后，维持 住这个电压，那么就持续导通了。 在充电过程中，是消耗电流和产生功耗的；当充电完成后，电容 上是没有电流的，没有电流，则没有损耗。那么，这个时候功耗很低 了。
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