接續的上一篇針對TOSHIBA 150 MOSFET U-MOS 應用在AC-DC 和 DC-DC 的差異以及如何選擇相對應的MOSFET Type(HSD & Standrad),本篇將舉一個實際應用範例給客戶參考. 此範例是一款1kW移相全橋(PSFB)同步整流DC-DC轉換器，適用於電信電源，輸入電壓範圍從DC-60V到-36V，可轉換為高功率射頻放大器所需的54V輸出。該設計範例使用TI的移相全橋控制器UCC28951PWR，尺寸為5mm x 6mm，並選用了表面貼裝的功率MOSFET,可參考下圖1.。 圖 2.展示了電路圖和 MOSFET 組合，用以提升效率測量。MOSFET 的組合從 #1 到 #3 進行了變化分析。 1. SW：150V U-MOSⅩ-H HSD TPH9R00CQ5，SR：U-MOSⅩ-H HSD TPH9R00CQ5 圖3. 展示了 1kW 降壓-升壓 DC-DC 轉換器參考設計的效率結果。在整個負載範圍內，未觀察到顯著的效率差異。組合 1 和組合 2 之間的差異主要是由於 HSD 型 MOSFET 對 SW-MOSFET 沒有反向恢復模式。這表明 TPH9R00Q5（HSD型）和 TPH9R00CQH（STD型）在 SW-MOSFET 上具有相似的電氣特性，除了反向恢復性能。相比之下，TPH9R00CQ5（HSD型）作為 SR-MOSFET 使用時，能有效減少反向恢復損耗，與 TPH9R00CQH（STD型）相比效率提高了 0.18%。因此，TPH9R00CQ5（HSD型）在 SW-MOSFET 和 SR-MOSFET 的效能上超越了 TPH9R00CQH（STD型），除了成本優勢。總結來說，正確配置 MOSFET 可以顯著提升應用的價值。  圖3. 1kW Buck Boost DC-DC Converter Reference Design Efficiency Results (-48Vin / 54Vout, f=150kHz)(註一:150V Power MOSFET U-MOSⅩ-H series for Telecom and data server Application note). 以上為實際範例的介紹，接下來請參考表1.。表1. 展示了採用5x6和3x3表面貼裝封裝的U-MOSX-H 150V產品系列，包括正在開發中的項目。這個產品組合提供了廣泛的導通電阻範圍，以支持各式應用需求。
表3. U-MOSX-H 150V lineup (註一:150V Power MOSFET U-MOSⅩ-H series for Telecom and data server Application note). U-MOSX-H 150V系列是專為降低通訊基地台和資料伺服器開關電源的功耗而開發的。U-MOSX-H 150V系列在標準條件下將RDS(ON)降低了38%，RDS(ON)·Qoss降低了20%，RDS(ON)·Qrr降低了57%。相較於傳統的U-MOSVIII-H系列，HSD型號的性能提升了89%，並增強了1kW PSFB同步整流DC-DC轉換器和1kW升降壓轉換器的效率，以上就是TOSHIBA 150V Power MOSFET U-MOSⅩ-H series的全部介紹,提供給各位參考。 |
