功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化矽SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，並保證系統的可靠性。

功率器件熱設計基礎系列文章會比較系統地講解熱設計基礎知識，相關標準和工程測量方法。

任何導熱材料都有熱阻，而且熱阻與材料面積成反比，與厚度成正比。按道理說，銅基板也會有額外的熱阻，那為什麼實際情況是有銅基板的模塊散熱更好呢？這是因為熱的橫向擴散帶來的好處。

 

熱橫向擴散

除了熱阻熱容，另一個影響半導體散熱的重要物理效應為熱的橫向傳導。這個術語指熱能在熱導體內立體交叉傳輸，即熱量不僅能垂直傳導也可以橫向傳導。根據公式1，可由表面積A和厚度d計算Rth。

如果熱源的熱流Pth,C從一個有限面向另一個面積更大的熱導體傳導，熱量的出口面積Aout比進口表面積Ain大，因此熱流密度不斷減小，但總熱量不變，如圖一和圖二所示。

出口表面積Aout比進口表面積Ain大多少取決於兩個因素:

1.平板的厚度d

2.熱擴散角α 

在熱的橫向傳導時，定為一個方形熱源，熱導體的熱阻可以近似計算為：

式中，a2in為入口表面Ain的邊長(m)。

 

熱擴散角α表示熱導體的一種特性，如果有幾層不同的材質，每層的Rth必須單獨確定，然後綜合所有熱阻值得出總熱阻。圖三給出了採用兩層不同材質散熱時熱的橫向傳導。

由於熱的橫向傳導，根據方形進口表面積：

第一層材料的熱阻為：

 

而對於第二層材料，第一層的橫向傳導導致第二層入口表面積增大為：

 

這樣第二層材料的熱阻為：

 

而它有效的出口面積：

 

因此，綜合兩層的情況得到總的熱阻為：

 分析 

基於這知識點，我們可以做什麼分析呢？

1. 採用相同晶片的銅基板模塊FS50R12KT4_B15比DCB模塊FS50R12W2T4散熱性能好，以50A 1200V IGBT4技術的模塊為例，結對散熱器的熱阻差48%。

2. 由於DCB模塊FS50R12W2T4沒有銅基板，結對殼的熱阻RthJC=0.45k/W，比有銅基板模塊FS50R12KT4_B15熱阻結對殼的熱阻要低一些，因為銅基板引入的熱阻；但DCB模塊殼對散熱器的熱阻要高很多，因為熱擴散效應。

3. 單管IKW40N120T2與模塊比，更小的晶片尺寸，40A單管的結對殼的熱阻RthJC=0.31k/W，遠低於模塊，這是因為晶片直接焊接在銅框架上，由於熱擴散效應，散熱更好。

4. 4個晶片比單個晶片散熱要好。

 

要驗證我們的猜想4個晶片通過並聯實現大電流要比單個大電流晶片散熱要好，可以研究圖二中的Aout的值。

我們做一個paper design，把4個50A 1200V晶片IGC50T120T6RQ，取代單個200A 1200V晶片，為了簡化問題，我們假設晶片是直接燒結在3mm厚的銅板上，並假設熱擴散角是45度。

 

通過下表的計算發現，4個50A晶片的Aout=100.9*4=403.6mm²，比單個200A晶片280mm²要大44%，散熱更好。

本文第一章摘自參考資料《IGBT模塊：技術、驅動和應用》，通過分析各種封裝產品的數值給讀者量化的概念，供參考。