最大 dv/dt 是基于栅极驱动电流以及 IGBT 周围的电路阻抗。如果将高值电阻器用于栅极驱动，则需要在实际电路中进行验证。图 5 显示了同一电机控制电路中三个不同 IGBT 的关断波形。在此应用中，dv/dt 为 3500 V/s。
对于该情况而言，IGBT #2 的典型 Cgc 为 84 pF，而阈值栅极电压为 7.5 V（在 15 A 的条件下）。 利用上述公式，该电路的最大总栅极电阻为：
Rg < 25.5 Ω。 因此，如果内部栅极电阻为 2Ω，驱动器阻抗为 5Ω，则所使用的绝对最大栅极电阻应为 18Ω。实际上，由于 IGBT、驱动器、板阻抗和温度的变化，建议采用一个较小的最大值（例如 12Ω）。
去除外部栅极电阻器可能会获得最佳的高频性能，同时确保不会发生二次导通。在某些情况下，这可能会起作用，但也可能由于栅极驱动电路中的阻抗而导致振荡。 栅极驱动电路为串联 RLC 谐振电路。电容主要源于 IGBT 寄生电容。所示的两个电感则源自 IGBT 和驱动器的板走线电感与焊线电感的组合。 在栅极电阻很小或没有栅极电阻的情况下，谐振电路将会振荡并造成 IGBT 中的高损耗。此时需要有足够大的栅极电阻来抑制谐振电路，从而消除振荡。 由于电感难以测量，因此也就很难计算适合的电阻。要最大程度降低所需的最小栅极电阻，最佳方案是采用良好的布局程序。 驱动器与 IGBT 栅极之间的路径应尽可能短。这适用于栅极驱动的整个电路路径以及接地回路路径。如果控制器不包括集成驱动器，则将 IGBT 驱动器置于 IGBT 的栅极附近要比将栅极驱动器的输入置于控制器的 PWM 输出端更为重要。从控制器到驱动器的电流非常小，因此相比从驱动器到 IGBT 的高电流和高 di/dt 电平所造成的影响，任何杂散电容的影响都要小得多。短而宽的走线是最大程度降低电感的最佳方式。 典型的最小驱动器电阻范围为 2Ω至 5Ω。这其中包括驱动器阻抗、外部电阻值和内部 IGBT 栅极电阻值。一旦设计好板的布局，即可确定并优化栅极电阻值。 本文给出了最大和最小栅极电阻值的指南。在这些限值之间有一个取值范围，藉此可以对电路进行调谐，从而获得最大效率、最小 EMI 或其他重要参数。在电路设计中取一个介于这些极值之间的安全值可确保设计的稳健。 [1]《Power Semiconductor Devices》（功率半导体器件），B. Jayant Baliga，PWS Publishing Company，Boston。ISBN 0−534−94098−6 |
