一般来说IGBT失效原因可以分为三大类别：电气失效，机械失效，腐蚀失效。
一：电气失效
1、过电压：
（1）门级-发射级 GE电源过高：可能会出现闩锁效应（latch up）以及通态电流过大。此外门级过压也可能由于静电导致。
（2）集电极-发射级 CE电压过大，CE间电压超过IGBT的电压阻断能力，芯片会产生雪崩击穿（电压超出较多）或者截止态漏电流过大（电压高出较少或者临界状态）。
（3）超绝缘电压：特别需要注意绝缘间隙以及安装问题。
2、过电流：
（1）导通态电流过大：一般指通态电流过大，导致晶圆与绑定线接触点融化。
（2）截止态漏电流过大。
3 、过温：
（1）瞬态温度过高：可能出现的原因有器件短路或者驱动电压偏低，Vce间压降偏高，导致芯片损耗增大，一般芯片表面温度比背面温度高。
（2）静态温度过高：一般由于散热不良导致，一般芯片背面温度更高。
（3）静态温度过低：静态温度过低会导致芯片阻断电压降低。
4 超动态安全工作区
（1）过大电流关断。
（2）过高温度关断： 一般出现latch up闩锁效应，导致芯片损坏。
二：机械失效
1、疲劳失效：一般是功率循环次数达到器件设计寿命上限。
（1）芯片底部焊层疲劳分离。
（2）绑定线焊点疲劳脱离。
（3）绑定线疲劳断裂。
功率循环热循环测试：
测试标准：IEC60749-34
判别标准：IEC60747-9
2、应力失效：一般是由于器件安装不当造成：例如IGBT底部与散热器之间有异物，散热器平整度达不到要求，硅脂过于黏稠，安装力矩不符合要求以及机械振动等。
（1）绑定线出现变形，断裂或脱落。
（2）引脚外壳出现变形开裂。
（3）芯片开裂。
三 腐蚀失效
（1）高温高湿腐蚀：影响芯片的耐压能力。
（2）腐蚀性气体腐蚀：影响芯片的绝缘能力。
