图4.比较击穿电压、开关频率和载流能力硅电源开关。 宽带隙材料（SiC和GaN）因其扩展了MOSFET的应用范围而具有吸引力并且产生较低的开关损耗（如果以最大能力实现）。因此，宽带隙器件可以改变上述权衡。 功率金氧半电晶体 由硅制成的功率MOSFET通常具有高达600V的阻断电压额定值，用于开关电压约为300 V或更低，尤其是感应负载可能会产生较大过电压条件 （最多2倍）。虽然电流承载能力为数十安培，但并联装置的电流承载能力更高电流。这些器件具有高开关频率（>100kHz）、高效率（特别是在低功率下水平）和合理的成本。 典型应用是120-/240-V开关电源、照明镇流器、dc-dc转换器和低电压（<50 V）或低功率120-/240V电机驱动器。功率MOSFET电压范围的上限 在太阳能光伏（PV）逆变器应用中可能在约500V下使用。 功率MOSFET有一个源极和一个漏极，它们分别连接到高掺杂区由身体区域分开。当栅极-源极电压（VGS）为正确偏置。MOSFET可以是n沟道或p沟道。在n沟道MOSFET中，源极和漏极为“n+”区域，主体为“p”区域；对于p沟道MOSFET，情况正好相反。这定义了器件偏置时的电流方向。 MOSFET可以是增强型或耗尽型。增强型MOSFET为： 在零栅极-源极电压（VGS=0 V）下常关，而耗尽型MOSFET在VGS下常导通=0 V。功率转换设备中使用的大多数MOSFET为n沟道（多数载流子）增强模式MOSFET，因为n沟道MOSFET的导通电阻是p沟道MOS FET的三分之一，因此更有效。
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