图3.使用具有调制正弦波信号的单功率半导体的PWM信号。 实际上，由于各种原因，输出PWM基波正弦波（或整流基波正弦波的）峰值电压从未接近全dc总线幅度。对于PWM信号，峰值电压根据调制和控制方案，振幅通常为直流母线电压的85%（或更小）。 对于基本ac，峰值幅度将远小于上面图3所示。 N沟道和P沟道器件 通过添加掺杂剂杂质实现对功率半导体电性能的控制基底半导体材料（例如硅）。这些添加剂使半导体含有： 携带“电荷载流子”的自由电流过多。当掺杂有提供更多自由基的材料时半导体变成n型。当掺杂的材料提供更多带自由电荷的空穴，变成p型。 电荷承载材料定义了功率半导体的“多数载流子”或“沟道”，以及电流方向：因此，我们将器件称为n沟道或p沟道。然而，当我们雇佣 功率转换应用中的MOSFET，降低了n沟道的导通电阻并提高了效率设备使其成为p通道设备的最爱。 对于IGBT，p沟道（少数载流子）器件是两种器件中效率更高的。功率转换设计包括： 根据电路位置和活动性，混合使用n通道和p通道设备时更简单，但实际上通常需要通过在中仅使用一种类型的设备来权衡设计复杂性以获得更高的总体效率整个设计。
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