新的的半导体材料氮化镓将给我们生活带来质的改变，可以跑高频，发热量超级低。 氮化镓材料的结温可以达到300度，而硅材料只能150度。 氮化镓MOSFET体内没有寄生二极管，但电流可以从S流到D，没有恢复的损耗。而氮化镓体内的寄生电容比COOL-MOSFET小很多，从而使得它在开关电路中开关及续流损耗大大降低。 而体内较低的Coss电容也使得他在软开关DCM，或CRM时死区的损耗降到最小。 传统的MOSFET是半导体硅做的，而硅MOSFET在高压600V的时候，工作频率不能跑高，跑得太高使得管子发热很严重。这是硅材料的物理特性决定的。 新的材料-氮化镓MOSFET将为我们解决这问题，这种材料的MOSFET现在被各大厂商在开发中，均有相对应的产品将问世，这一趋式无法改变。 下图是氮化镓MOSFET与COOL-MOSFET的对比     总之： 1.GaN比Si具有更低的导通损耗。 |
