MOS工艺与MOS应用和损耗计算

一.MOS概述

MOS，金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称金氧半场效晶体管（ Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET）;依照其“通道”的极性不同，可分为称为NMOSFET与PMOSFET。

MOS结构图如下：

MOSFET的分类

MOSFET的制造-芯片/封装

MOSFET的工作原理

截止：漏源极间加正电源，栅源极间电压为零，P基区与N漂移区之间形成PN结J1反偏，漏源极间无电流流过。

导电：在栅源极间加正电压Ugs,栅极是绝缘的，所以不会有栅极电流流过，但栅极的正电压会将其下面P区中的空穴推开，而将P区中的少子-电子吸引栅极下面的P区表面。

当Ugs大于Ut(开启电压)时，栅极下P区表面的电子浓度将超过空穴浓度，将P型半导体反型成N型而成为反型层，该反型层形成N沟道而使PN结J1消失，漏极和源极导电。       

MOSFET开关过程

(二).

开关损耗


(三).

启动损耗与导通损耗

(四).

关断损耗与反向恢复损耗