一. T型三电平电路拓扑 - 拓扑中共有4只IGBT， 4只二极管，还有电容组C1和C2；假设正负母线电压均等，都是Vdc。
- 将T1,T2,T3,T4的状态用1和0分别表示1表示开
二. 三电平电路， 状态表 1. 用 16进制表示； 2. 稳定模态有 3种： C， 6， 3； 3. 三. 死区状态有 2种： 4， 2。 死区状态的切换用黄色部分表示。 4. 在该拓扑中， IGBT的所有开关状态的切换是循环的过程: C-4-6-2-3-2-6-4 三. 根据状态表分析换流过程C-4-6-2-3-2-6-4-C
1. C-1100状态  2. C-1100状态 → 4-0100状态  3. 4-0100状态 → 6-0110状态  4. 6-0110状态→ 2-0010状态  5. 2-0010状态 → 3-0011状态  6. 3-0011状态→ 2-0010状态  7. 2-0010状态 → 6-0110状态  8. 6-0110状态→ 4-0100状态  9. 4-0100状态→ C-1100状态  四. 小结经过以上对三电平拓扑中每个切换过程的分析，可以得出如下结论：
IGBT
1.电流朝外流时：T1(C→4)， T2(6→2)在关断时会有电压尖峰。
2.电流朝内流时：T3(6→4)， T4(3→2)在关断时会有电压尖峰。
3.T1~T4在关断时产生的电压尖峰，都是基于半个母线电压Vdc。但是由于T1管和T4管的阻断电压高，所以T1管和T4管的关断电压应力风险相对较低；而T2管和T3管是低压管，所以T2管和T3管的关断电压应力相对较大， 这点需要特别注意。
二极管
1.电流朝外流时：D3， D4有续流。D3(4→C)， D4(2→6)反向恢复。
2.电流朝内流时：D1， D2有续流。D1(4→6)， D2(2→3)反向恢复。
3.高阻断电压D1管和D4管在反向恢复时，是基于半个母线电压Vdc，所以产生的峰值功率也相对较小； 但是D2管和D3管由于阻断电压较低， 在基于半个母线电压Vdc
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