ST MDmesh M9 Series 开创SI基MOSFET 更优的性能

1. M9在ST HV MOSFET中的地位。及与ST其他Series HV MOSFET的区别。先看下面一个图：

     

              M9 Series 从ST M5 Series制程工艺上发展起来。与M5 Series相比，Rd(on)/Qg有了极大的降低；提升di/dt & dv/dt 动态参数；据有超底恢复电荷(Qrr) 和超快恢复时间（Trr）。

 

2. 首批上市的仅有650V STP65N045M9 一款。让我们与M5前辈对比，性能到底怎样，看下表：

           从上述对比表中不难发现：
                                                       a.   从上表中可以直接看出，同样Rds(on),M5只能封成TO-247,而M9可以做到TO-220;

                                                       b.   在Qg /Qrr等参数对比上，M9比它的前辈M5进度很多。这些参数的优越将极大程度地降低通断开关损耗，有助于进一步提高功率密度和开关性能；

                                                        c.   具体与M5 series 各封装产品中相比，Rd(on) 均有（About -30% ) 大幅度降低；

         3.    M9 Series 主要运用(Application)：

               MDmesh M9系列专为硬开关和软开关拓扑量身定制。可以被用于：
                                     a.   各电信数据中心，服务器、5G基站发电站；
                                     b.   太阳能微型逆变器；
                                     c.    快速充电器、平板显示器，LED Light & PC Power；

 

为了设计高可靠行, 小体积的电源产品，M9 Series MOSFET也是一种选择，不妨尝试。