碳化硅，是一种无机物，化学式为SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。
碳化硅的禁带宽度、临界击穿场强，优越于硅2-10倍，比较适合高频的应用，IGBT工作频率在20K，碳化硅100K赫兹可以高效的运行。他的开关损耗、导通损耗小，工作温度比较高，硅的工作结温是150度到200度，碳化硅理论上可以超过200度。它还有一个特性是可以做一些比较高压的器件，可以做10kV以上的器件。
随着电动车的普及，充电桩，充电站的市场占有率越来越高，为了解决里程充电焦虑，充电桩的充电功率会越来越高，从几千瓦到十几千瓦，甚至更高功率的都会慢慢普及，这些充电桩的直流充电电压高达600-800V，乃至向着1000V的指标迈进。过去的400v的产品中IGBT是功率器件的常客，但是随着电压的升高，后续SIC会逐步取代现有的IGBT成为主流
在数字电源的应用领域，开关越高，意味着用的电感量越少，便于过安规认证，但是开关频率升高带来的副作用是开关损耗的增加会导致电源效率降低，但是随着SIC的器件的普及在数值电源中常考虑的开关损耗，器件恢复时间等问题都会得到很大的改善。
美国微芯科技提供碳化硅(SiC)电源解决方案，缩短产品的上市时间降低设计风险。微芯的解决方案包括业界最广泛、最灵活的SiC模具、二极管、mosfet、栅门驱动器、可定制的先进电源模块设计和封装。
美国微芯科技提供的SIC产品有如下几大类
- SiC die供无与伦比的坚固性和性能。氧化物寿命超过100年，稳定的体二极管加上一流的雪崩坚固性，短路能力和中子敏感性，可以帮助客户轻松，快速和自信地采用SiC。我们的SiC电源解决方案提供最低的系统成本，最快的上市时间和最低的风险
- SiC 分立器件，包括SiC的MOSFET，DIODE
碳化硅(SiC)栅驱动器
美国微芯科技的SiC器件目前供货周期较短，成本大致同英飞凌，ST相当
应用领域
1 大功率的数字电源
2 大功率的快速直流充电桩
3 大功率逆变产品
