 一般电源转换器都是用MOSFET作为开关元件。 1. 额定电压 MOSFET额定电压*降额（通常是0.9）必须大于任何工况下漏-源之间出现的剑锋电压 对于单端反激拓扑，在110Vac系统使用400V的FET，在200-240Vac或100-240Vac系统使用600V的FET。 对于单端正激拓扑，在200-240Vac或100-240Vac系统使用800V的FET，除非有特殊钳位电路保持MOSFET的漏极电压低于600V*降额。 2. Rds-on的要求 对于高效率的适配器（>85%），MOSFET的传导损耗应为转换器在低输入电压和满载时输入功率的2%-3%。 对于相同的电压等级，更低的Rds-on的MOSFET会更加昂贵，并且没有必要给予更高的效率，因为MOSFET的芯片尺寸要求较高的栅极驱动功率，否则开关损耗将变高，降低Rds-on的损失可能无法弥补较高的栅极驱动或更高的开关损耗。 3. MOSFET的特性 3.1 参数 3.1.1 最大漏-源电压（Vdss） FET关闭时的最大漏源电压 3.1.2 Rds-on 当FET导通时的通道电阻 3.1.3 最大漏极直流电流 在25deg.C时最大漏极直流电流 3.1.4 脉冲漏极电流 脉冲漏电流可以是一个单脉冲或重复脉冲，脉冲宽度是受到安全工作区限制 3.1.5 栅极门槛值（Vth） 通常是2-4V。对于逻辑电平的FET，Vth是0.8-2V，对于RCC类型的转换器，必须要考虑温度漂移，在低温下Vgs会往下漂移导致转换器可能无法启动。 3.1.6 总栅极电荷（Qg） 根据芯片尺寸通常为20-50nC，小栅极电荷意味着更低的驱动功率和更快的开关速度。 3.2 MOSFET的并联 对于2个或者更多的MOSFET并行连接，漏极可连接在一起，漏极可以连接在一起。但是栅极不可以连接在一起。 以10欧姆电阻与磁珠串联来分开两个栅极，这可避免MOSFET的栅极和漏极振铃。 对于大型MOSFET，电阻值应相应减少。有时仅电阻就足以抑制振铃了。 两个MOSFET的Vgs通常是不同的（几个0.1V级别）。如果栅极的上升时间或下降时间慢（即导通和关断慢），那么最低Vgs的FET将在最初到通和最终关闭时承受所有电流。此FET将较热并且更容易损坏。一种方法是把FET的Vgs分组，在统一组Vgs的FET才可以并联。 另一种方法就是每个FET的栅极用一组电阻+PNP驱动。 |
