反相器的制造过程

    ⑦去掉其他部分的氧化层

    利用HF酸去掉余留的氧化层，回到N阱裸晶圆，紧接着的步骤与之前相似。

    如何做多晶硅？

    先沉淀一层薄的氧化层，然后进行硅的化学蒸气沉积CVD，形成导电性能好的多晶硅。

    沉淀很薄的栅氧化层，小于20A（6-7个原子层）

    Si层的化学气沉淀：

    把晶圆放置在SiH4的熔炉中；

    形成许多多晶硅；

    重掺杂得到优良的半导体。