⑤剥去光刻胶 剥掉其他部分的光刻胶。 ⑥制作N阱 N阱通过扩散或者离子注入形成扩散: 把晶圆放在砷气的熔炉中; 加热直到As原子扩散到暴露的Si中离子注入; 利用As离子束冲击晶圆; 离子被SiO2阻止,仅进入暴露的硅。 |
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