然而，作为警告，实际应用中的部件和结构参数可能并不理想这使得DM和CM滤波器电路很难解耦。DM到CM噪声变换，反之亦然 由于这些不对称性，也可能出现相反的情况。 [14] 例如如果CY1和CY2在图2中不完全相同，CM噪声的一部分将转换为DM噪声。 在图2中还值得注意的是，Y电容器通常不包含在双线、低压dc中由于缺乏可用的机箱接地连接，转换器系统。在这种情况下 实施方式本身会增加CM电流回路的串联阻抗，从而导致衰减特性为每十年-20 dB，至少达到CM扼流圈的自谐振频率。 CM EMI滤波器的模型 图3显示了基于CISPR 25:2016的同步降压转换器的EMI测量设置国际规范， [12] 与GB/T 18655-2018中国标准相似。
图3.典型CISPR 25 CE测试平台（电压法）的示意图同步降压调节器，在每个输入端连接一个单级CM滤波器和LISN电源线。 根据阻抗失配准则进行EMI滤波器设计，并给出了高源阻抗和对于CM噪声电路的低负载阻抗，设计使用Γ形滤波器（CL拓扑）来处理CM噪声 压制在这里，Y形电容器面向dc-dc转换器，CM扼流圈的虚线端子连接到每个LISN如图所示。 图3中选择的组件将单级CM滤波器的角频率设置为大约165千赫。CM扼流圈在10 MHz下提供630 W的额定阻抗，相当于10 mH的电感。 此外，CM扼流圈的漏感充当DM滤波器电感。图3省略了滤波器用于电路简化的阻尼网络。 如果我们从图3中的EMI滤波器中获取LCM、CY1和CY2的分量值并将其应用于等效输入EMI滤波器（连同寄生和阻尼网络值），我们获得等效CM 图4a所示的EMI滤波器。然后，我们可以获得滤波器的电流衰减，如图4b所示。这个谐振[16,17]基于200 mΩ的CM扼流圈直流电阻（DCR），即等效并联电阻（EPR）为50KΩ，等效并联绕组电容（EPC）为10pF。此外串联电阻（ESR）为5 mΩ，等效串联电感（ESL）为0.5 nH。 |
