根据前面的讨论，仅需要两个独立电容和一个电压源来描述CM行为，其表达式包括在图6中。如前所述，CTOTAL是测得的电容在短路的一次参考绕组和短路的二次绕组之间。 为了为图3中的反激调节器建立CM噪声模型，图7中的块表示变压器（包括一次绕组、二次绕组、辅助绕组和屏蔽绕组），可随后更换为适当的双电容CM变压器型号。根据替换定理，所有电压和电流当用电压或电流替换电路中的非线性开关器件时，电路中的与原始组件具有完全相同的时域电压或电流波形的源。 因此，一个电压源（VSW），其电压波形与MOSFET，取代MOSFET。同样，具有相同电流的电流源（IDOUT和IDCL）波形为二极管电流，更换两个二极管。之后电路中的电压和电流替换保持不变。 同时，输入和输出电容器对CM噪声的阻抗非常小，因此其阻抗为被忽视。CM扼流圈串联阻抗指定为ZCM扼流圈和25 W测量电阻器LISN的特征。最后，对CM噪声没有显著影响的寄生电容通过LISN的流动被移除。图7a表示反激调节器的CM噪声模型应用替代定理。[13]
图7：。基于替换定理（a）的反激电路模型和应用叠加定理（b）后的反激调节器。 可拆除与电压源并联或与电流源串联的部件，因为它们不会对网络的电压或电流作出贡献。叠加理论有助于分析IDCL、IDOUT和VSW分别。显然，IDCL和IDOUT不会产生CM噪声，因为它们是短路的。图7b显示了最终的CM模型，方程式2提供了LISN处测得的CM噪声电压：
然后结合测量的VSW波形进行电路仿真，方便地分析CM噪声以及各种组件的影响。假设泄漏阻抗电感远低于总寄生绕组电容CTOTAL。显然，将CBD降低为增加ZCM扼流圈或CZ可降低噪声电压。注意，如果测量的VAD基于方程1为零，CBD实际上为零，基本上通过变压器消除CM噪声。这是检查变压器是否平衡良好的便捷测试。 基于双电容变压器模型的CM噪声模型的一般推导过程如下六个步骤：
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