反激开关波形特性 图2显示了反激电源的初级MOSFET和次级整流二极管电压波形阶段——如图1所示——在不连续（DCM）和边界（BCM）传导模式下运行。[7] 图2a突出显示了DCM中的开关波形，其中主MOSFET在 开关节点谐振电压摆幅的谷值。图2b显示了BCM开关的波形，其中准谐振MOSFET在从二次侧绕组电流衰减为零。DCM和BCM中的主MOSFET均以零电流导通。
图2：。反激变换器工作时的一次MOSFET和二次二极管电压波形在DCM（a）和BCM（b）中。一次绕组上的齐纳二极管电路钳制电压漏感与MOSFET和变压器寄生谐振引起的尖峰电容。 此外，开关过程中的电压和电流边缘很尖锐，尤其是EMI源电压尖峰过冲和随后的振铃行为。每次换相都会激发阻尼电压开关和二极管寄生电容和变压器漏感之间的电流振荡。 图2显示了MOSFET关断时开关节点电压前沿尖峰和高频振铃。这个振铃行为取决于与MOSFET输出共振的一次侧漏感（LLK-P）电容（COSS）加上变压器初级绕组内电容（CP）。 类似地，二极管电压振铃与二次侧漏感（LLK-SEC）有关二极管结电容（CD）和二次绕组内电容（CS）。过冲和响铃具有高瞬态电压（dv/dt），因此任何对地电容耦合都会导致感应位移电流和CM噪声。 当在连续导通模式（CCM）下运行时，当初级开关打开会产生额外的负面影响。DFLY的反向恢复加剧了振铃电压并产生前沿电流尖峰，当恢复电流达到反射到一次侧。 请注意，反激磁组件主要表现为耦合电感器，因为电流通常不会一次绕组和二次绕组同时流动。切换转换是唯一的间隔存在真正的变压器动作，[9] 一次绕组和二次绕组中的电流同时流动（泄漏电感中的电流斜坡）。
|
