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DC-DC转换器EMI工程师指南(第6部分):缓解技术 使用分立FET设计 ... ...

2022-5-26 09:41| 发布者: 闪电| 查看: 36| 评论: 0|原作者: Timothy Hegarty

摘要: 本系列文章的第1部分至第5部分提供了一些实用的指南和示例,以减轻辐射电磁干扰(EMI),专门针对具有单片式集成功率MOSFET。 作为这些早期部分的续篇,本文探讨了dc dc中的EMI抑制采用控制器驱动一对分立的高侧和低 ...


图8显示了图6中调节器在150 kHz至108 MHz范围内测得的传导发射。使用Rohde&Schwarz频谱分析仪、峰值和平均探测器扫描分别用黄色和蓝色表示。结果符合CISPR 25 5级要求。红色的限制线是

5级峰值和平均限值(峰值限值通常比平均限值高20 dB)。

图8:。CISPR 25传导发射结果,150 kHz至30 MHz(a)和30 MHz至108兆赫(b)。


总结


功率半导体器件的开关瞬态是传导和辐射的主要来源EMI。本文重点介绍了在使用控制器的dc-dc调节器电路中降低EMI的PCB布局外部MOSFET。


基本布局建议是尽量减少布局中当前的“热环”区域;避免当前路径中断;使用具有内部接地板的多层PCB进行屏蔽(产生更好的性能优于两层PCB);将短的直接门驱动记录道作为差分对进行布线;并使用最小切换节点铜区域,以减少电场辐射耦合。


优化的PCB布局有助于改善调节器的EMI特征(而不会牺牲效率或与其他“修复”相关的热性能(通常用于减少EMI)。而此讨论中心围绕EMI感知同步降压功率级,您通常可以将概念扩展到任何dc-dc


调节器,只要确定关键回路并实施推荐的布局技术。






































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