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DC-DC转换器EMI工程师指南(第6部分):缓解技术 使用分立FET设计 ... ...

2022-5-26 09:41| 发布者: 闪电| 查看: 35| 评论: 0|原作者: Timothy Hegarty

摘要: 本系列文章的第1部分至第5部分提供了一些实用的指南和示例,以减轻辐射电磁干扰(EMI),专门针对具有单片式集成功率MOSFET。 作为这些早期部分的续篇,本文探讨了dc dc中的EMI抑制采用控制器驱动一对分立的高侧和低 ...


最后,在电感器的每侧使用两个陶瓷输出帽COUT1和COUT2优化输出电流回路。有两条平行的输出回路将回路电流一分为二,有助于缓解“地面反弹”效应。

图6:。功率级和控制器的布局,采用优化的垂直功率回路设计。


图7a显示了使用宽带探头测量的开关节点电压波形,用于图4使用图6的优化布局。振铃不明显,只是低幅度超调,可以忽略不计欠调,这预示着50 MHz以上的EMI性能良好。为了进行比较,图7b示出了类似的使用图5b的横向环路布局进行测量。优化布局的峰值超调量降低了约4 V。

图7:。VIN=48 V和IOUT=8 A时的开关节点电压波形,优化布局(A);侧面的回路布局(b)。



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