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DC-DC转换器EMI工程师指南(第6部分):缓解技术 使用分立FET设计 ... ...

2022-5-26 09:41| 发布者: 闪电| 查看: 34| 评论: 0|原作者: Timothy Hegarty

摘要: 本系列文章的第1部分至第5部分提供了一些实用的指南和示例,以减轻辐射电磁干扰(EMI),专门针对具有单片式集成功率MOSFET。 作为这些早期部分的续篇,本文探讨了dc dc中的EMI抑制采用控制器驱动一对分立的高侧和低 ...



图5:。两种常规的横向环路布局设计。


改进的PCB布局设计


图6示出了一种改进的布局,其优点是减少了功率环路面积,提高了多层结构。该设计使用PCB的第2层作为电源回路回路。


[7,8,9]此返回路径为位于顶层正下方,创建一个小的物理循环大小。流向相反方向的水流垂直回路中的方向提供场自抵消,进一步降低寄生电感。侧视图图6所示示示出了在多层PCB中创建低轮廓自消除环路的概念结构四个0603输入电容器,0402或0603外壳尺寸小,ESL低(CIN1至CIN4,位于图6)中的大容量输入去耦电容器CIN5和CIN6尽可能靠近高压侧MOSFET。


这些电容器的回路连接通过多个12密耳通孔连接到第2层接地层。


第2层接地层直接在MOSFET下方提供电流返回路径,以到达源低端MOSFET的端子。


此外,开关节点铜多边形仅包括电感器的焊盘和最小面积需要连接到MOSFET。接地板铜屏蔽连接MOSFET的多边形浇注电感器端子。SW和BST的单层布局意味着高dv/dt的过孔不会出现在PCB的底部。这避免了EMI测试期间电场耦合到参考接地层。



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