为了帮助转换为优化的PCB布局，示意图突出显示了高电流记录道（VIN、PGND、SW连接）、噪声敏感网络（FB、COMP、ILIM）和高dv/dt电路节点（SW、BST、HO、LO、SYNC）。这个高di/dt回路类似于图3中所示的回路。
图4：。具有PCB布局识别的重要节点和迹线的降压调节器示意图。 图5显示功率MOSFET和输入电容器的两个横向环路布置。功率级处于PCB的顶层，控制器位于底部。横向回路设计具有循环电流在顶层（由图5中的白色边框表示），其在第2层接地上感应图像电流 平面以实现磁通抵消，从而降低寄生回路电感。 更具体地说，修改图5b中的布局，使得高压侧FET（Q1）旋转90度。这改善Q1的散热，以实现更好的热管理，并方便放置低ESL电容器（Cin1）在靠近MOSFET的0603外壳中，用于高频去耦。U形布局功率级部件的方向定位输出电容器，以缩短与低端MOSFET。
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