图3的示意图确定了降压调节器电路的临界高频功率回路【6】表示具有高转换率电流的电路元件。您可以应用类似的检查来提高，反转降压升压、SEPIC和其他拓扑。最小化电源回路的面积至关重要，因为其与寄生电感和相关H场传播的比例。[3] 主要设计目标是通过限幅将寄生LC箱的谐振频率尽可能提高寄生电感。这将降低总存储无功能量并降低开关节点电压峰值过冲和振铃。此外，实现临界阻尼系数的等效电阻有效更低，因此任何铃声都会更早衰减，尤其是当高频的趋肤效应增加寄生回路电阻。
图3：。针对同步降压电路，确定了对EMI至关重要的高频电流回路监管者 图3还显示了高侧和低侧MOSFET在开启和关闭期间的栅极驱动器环路。特殊的功率级布局期间的注意事项（下一步讨论）确保功率回路、门回路和共源寄生电感尽可能低。 低EMI的PCB版图设计 以下项目总结了组件放置和PCB布局的基本指南，以实现直流稳压器中的最低噪声和EMI特征。其中一些步骤与第5部分中提供的步骤类似用于使用集成MOSFET的转换器设计。 [5] 稍后，我将提供一个EMI优化降压调节器的PCB布局案例研究。 布线和组件放置。 在PCB顶部布线所有power stage组件。避免定位交换机节点铜和底部的电感器，它可以辐射到EMI测试装置的基准面。 将VCC或偏置的旁路电容器靠近各自的引脚。确保AGND引脚“看到”在将CVCC和CBIAS电容器连接到GND之前，先将其连接。 将引导电容器连接到控制器的BST和SW引脚附近。屏蔽CBST电容器并将节点与相邻的接地铜进行切换，以降低共模噪声。
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