欣赏EMI挑战 发生电磁干扰必须有三个基本要素：电噪声源、耦合路径和受害者感受器可以通过以下方式实现干扰抑制，从而实现电磁兼容性（EMC）解决任何或所有这些方面。实际上，您可以使用几种技术来中断耦合路径和/或硬化潜在受害者，例如插入EMI滤波器以抑制传导干扰和使用屏蔽来减轻辐射干扰。[4] 与降压调节器不连续输入电流（或升压）相关的低频EMI频谱振幅不连续输出电流）是相对容易处理使用传统的滤波器级。但是更令人担忧的是与锐边相关的高dv/dt和di/dt的谐波含量开关换相期间的电压和电流。 大电流门驱动器（通常集成在控制器中，电压低于100 V）可以切换电源MOSFET具有极高的速度。大于10 V/ns和1 A/ns的转换速率通常与传统的硅FET，具有更高的转换速率，可用于氮化镓（GaN）基器件。我调查过梯形开关波形的时域特性与频谱的关系第2部分的内容，解释波形的最陡斜率决定高频谱因此，渐近包络和减少dv/dt和di/dt的方法有助于减少EMI的产生潜在的[2] 除了电压和电流边缘尖锐外，过冲/欠冲和与开关波形相关的后续振铃。图2显示了一种硬开关同步降压调节器。开关节点电压振铃频率范围为50 MHz至250 MHz，取决于寄生功率环路电感（LLOOP）与MOSFET输出的谐振电容（COSS）。 这种高频内容可以通过近场耦合传播到输出总线、附近组件或输入电源线，很难用常规滤波衰减。同步MOSFET体二极管反向恢复呈现出类似的负面影响，与二极管恢复一样加剧了振铃电压电流在寄生回路电感中流动。
图2：。MOSFET开关过程中开关节点电压波形及等效电路同步降压调节器的转换。
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