图2中的另一个关键参数是体二极管DB2的反向恢复电荷，称为QRR，在接通过程中，导致Q1电流显著尖峰。QRR取决于许多参数，包括二极管恢复前的正向电流、电流转换速度和管芯温度。通常，MOSFET QOSS而体二极管QRR对分析和测量都提出了一些挑战。前沿电流在Q1接通以充电Q2的COSS2和提供QRR2以恢复体二极管DB2期间的尖峰具有类似的配置文件，而这两者往往是混为一谈的。 EMI频率范围和耦合模式 表1列出了开关式功率转换器的三个松散定义的频率范围激发和传播EMI。[6] 在功率MOSFET切换期间，当换向电流的转换率可以超过5安/秒，2毫安寄生电感会导致10伏的电压超调。此外，电流在功率回路中，具有快速开关边缘和可能的与体二极管反向相关的前沿振铃恢复和MOSFET COSS充电的谐波含量丰富，对H场耦合和因此，传导和辐射EMI增加。 表1：。开关转换器噪声源和一般EMI频率分类。
三条主要的噪声耦合路径是通过直流输入线传导噪声，H场耦合来自电源回路和电感器，以及来自开关节点铜表面的电场耦合。[8]
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