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DC-DC转换器EMI工程师指南(第3部分):了解电源 阶段寄生

2022-5-25 09:59| 发布者: 闪电| 查看: 34| 评论: 0|原作者: Timothy Hegarty

摘要: dc-dc转换器中半导体器件的高频开关是传导和辐射发射。本系列文章的第2部分【1,2】回顾了差模(DM)以及来自dc-dc转换器的共模(CM)传导噪声干扰。通过分离DM和CM在电磁干扰(EMI)测试期间,您可以从总噪声测量中 ...


图2:。降压功率级和门驱动器“隐藏示意图”,包括电感和电容寄生元素。


功率级寄生电容方程1表示影响EMI和EMI的功率MOSFET输入、输出和反向转移电容开关行为作为图2所示终端电容的函数。这种内部MOSFET电容在开关转换期间需要高振幅、高频电流。



方程2的近似值表明COSS具有高度非线性的电压依赖性。方程式3给出了特定输入电压下的有效电荷QOSS,其中COSS-TR是与时间相关的有效输出

一些较新的功率FET器件的数据表中定义的电容。[11]



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