考虑Q1的开启转换。由输入电容器CIN供电，Q1的漏极电流迅速增加至当电流从Q2的源极流向漏极时，电感器的电流水平降至零。在图1中，回路红色阴影，由MOSFET和输入电容组成，标记为“1”，是降压调节器的高频整流功率回路，或“热”回路。【3,4】电源回路承载的高频电流为相对较大的振幅和di/dt，尤其是在MOSFET开关期间。 图1中的回路2和3被分类为功率MOSFET的栅极回路。更具体地说，循环2表示高压侧MOSFET的栅极驱动电路由自举电容器CBOOT提供。同样，循环3对应于VCC提供的低端MOSFET的栅极驱动器。导通和关断栅极电流路径在每种情况下分别用实线和虚线描绘。 寄生元件和辐射EMI 电磁干扰问题通常包括三个要素：源、受害者和耦合机制。源引用了具有高dv/dt和/或di/dt的噪声发生器，且受害者对应于敏感电路（或EMI测量设备）。 耦合机制可分为导电耦合和非导电耦合。非导电耦合可以是电场（E场）耦合、磁场（H场）耦合或两者的组合。这发生在寄生电感和电容的结果，可能对调节器的EMI性能。 功率级寄生电感 功率MOSFET的开关行为以及波形振铃和EMI的后果与功率回路和栅极驱动电路的部分电感。图2提供了元件放置、器件封装和印刷电路板（PCB）产生的寄生元件影响同步降压调节器EMI性能的布局布线。 有效高频功率回路电感LLOOP是总漏极电感LD和由输入电容器的等效串联电感（ESL）和功率MOSFET的PCB迹线和封装电感。正如所料，LLOOP与输入电容MOSFET回路的布局几何结构，由图1中的红色阴影区域表示。[6、7、8]同时，门环的自感系数LG包括来自MOSFET封装的集中贡献和PCB跟踪布线。图2的检查显示，高压侧的共源电感MOSFET Q1在功率回路和栅极回路中相互存在。Q1的共源电感降低了功率回路中的di/dt，因为它会产生相反的反馈电压效应，阻碍上升和下降MOSFET栅源电压的倍。然而，它有增加开关损耗的不利影响因此是不可取的。[9、10]
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