MOSFET散热器直接连接到车辆底盘接地，以改善转换器的散热性能性能和可靠性，但以牺牲共模EMI性能为代价。图6中的示意图包括boost转换器以及连接在L1和L2输入线。 为了考虑boost转换器CM噪声传播路径，将MOSFET Q1和Q2替换为图7中的等效交流电压和电流源。[9] 与boost相关的寄生元件还描述了电感LF、输入电容CIN和输出电容COUT。特别是，CRL-GND是负载电路至机箱GND的寄生电容，包括长负载线和布线的贡献以及下游负载配置（例如，具有二次侧输出的隔离转换器接地至底盘或电机驱动系统负载，大型金属外壳连接至底盘）。
图7：。LISN同步boost拓扑的高频等效电路。仅CM LISN中的电流路径与CM排放测量相关。 漏源切换（SW节点）电压的上升沿和下降沿代表主要CM噪声源。CP1和CP2表示从SW到机箱和SW到散热器的有效寄生电容，分别地图8示出了SW节点电容的情况下的简化CM噪声等效电路（电场）耦合是主要的CM传播路径。
图8：。从图7导出的同步升压电路的简化CM等效电路LISN已连接。这里提供了传导EMI传播模式的解释，包括电容（电场）和与高dv/dt和di/dt开关相关的感应（磁场）耦合。的相关传播路径描述了不同功率级拓扑中的DM和CM电流。最重要的是，DM的分离强调了EMI测试期间的CM发射，因为这有助于设计师识别和排除相关EMI源和简化EMI滤波器设计流程。案例研究强调了CM EMI与汽车同步升压转换器相关的特征码。 |
